超宽带硅基射频微系统设计

来源：电讯技术杂志2024年第9期北京时间：

作者：张先荣,钟丽

单位：(1.中国西南电子技术研究所，成都 610036;2.成都职业技术学院 电子信息工程学院，成都 610041)

摘要：针对超宽带硅基射频模块的微系统化问题，采用硅基板作为转接板设计了一款具备收发功能的超宽带系统级封装(System in Package，SiP)射频微系统。各层硅基转接板之间的射频信号传输、控制和供电等均采用低损耗的硅通孔（Through Silicon Via，TSV）结构来实现。为了减小封装对射频性能的影响，整个超宽带射频微系统采用5层硅基封装结构，与传统二维封装结构相比，其体积减少95%以上。射频微系统封装完成后，对其电气性能指标进行了测试。在整个超宽带频带内，其接收噪声系数小于2.6 dB，增益大于35 dB，发射功率大于等于34 dBm，端口驻波小于2。该封装结构实现了硅基超宽带射频模块的微系统化，可广泛适用于各类超宽带射频系统。

关键词：超宽带射频微系统；硅基转接板；硅通孔（TSV）；系统级封装（SiP）；

基金资助：装发部预先研究基金