一种Ka频段高密度高集成瓦式T组件的设计

来源：电讯技术杂志2021年第3期北京时间：

作者：罗鑫

单位：(中国西南电子技术研究所，成都 610036)

摘要：介绍了一种Ka频段瓦式T组件的设计方法和关键技术。采用多层印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)技术，实现了无源网络和馈电网络集成在同一块多层电路板上，滤波功能层和天线一体化集成，利用毛纽扣实现了组件的三维垂直互联。采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺与砷化镓（GaAs）工艺相结合的芯片异构集成方案，成功研制出16通道带滤波功能层天线的T组件，体积为22 mm×22 mm×12 mm，质量不超过13 g。与同频段同功能的砖式T组件相比，体积缩减75%，质量降至10%。该组件充分发挥CMOS工艺强大的数模混合集成能力和化合物半导体工艺优异的射频性能，并将两类芯片在平面内直接异构拼装，在集成密度、功能密度、射频性能以及可实现性等多个方面获得了良好的平衡。

关键词：有源相控阵；Ka频段；瓦式；CMOS；异构集成；