一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源

来源：电讯技术杂志2016年第8期北京时间：

作者：梁勤金,石小燕,潘文武,黄吉金

单位：(中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室，四川 绵阳 621900)

摘要：介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源，给出了系统组成与工作原理，提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz，输出连续波功率大于300 mW，线性增益10 dB，附加效率（PAE）大于16%.在W频段固态毫米波源研制过程中，其单片微波集成电路（MMIC）功率放大器半导体材料选择经历了GaAs、InP到GaN演变，结果清楚表明，W频段毫米波源的GaN MMlC功率放大器输出功率、增益、效率、高温性能要优于其他固态MMIC功率放大器性能。W频段大功率固态GaN MMlC技术将在毫米波领域带来新的技术革命和应用。

关键词：毫米波源；GaN功率放大器；W频段；单片微波集成电路；连续波；

基金资助：国家高技术研究发展计划（863计划）项目