基于SiC MOSFET的无桥Boost PFC变换器研究与设计

来源：电工电能新技术杂志2018年第10期北京时间：

作者：黎晓， 马红波， 庞亮

单位：西南交通大学电气工程学院， 四川 成都 611756

摘要：与传统Boost PFC变换器相比，无桥Boost PFC变换器减少了低频回路上二极管的数量，具有高效率和高功率密度的特点。SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，具有开关频率高、温度特性好和导通损耗小的优点。为使SiC MOSFET安全可靠地工作，通过对SiC MOSFET特性的分析，设计了SiC MOSFET驱动电路。以此为基础，设计了一款90～265V输入、15kW DualBoost无桥PFC原理样机。实验结果证明了方案的合理性和先进性。

关键词：无桥PFC, SiC MOSFET, 驱动设计, 高效率

基金资助：国家自然科学基金项目(51407149；51777176；61733015)、 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2018GF03)