基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计

来源：电工电能新技术杂志2018年第10期北京时间：

作者：王翰祥， 蒋栋

单位：华中科技大学电气与电子工程学院， 湖北 武汉 430074

摘要：SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时，对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃，本研究提出了一种使用脉冲变压器配合基于Si材料的分立器件实现的隔离驱动电路，能够提供与商业化驱动电路同等的驱动电流与上升下降时间。所提出的分立器件驱动电路经Saber仿真验证，并于SiC功率模块上进行双脉冲实验评估。仿真和实验结果证明了所提出的驱动结构对SiC MOSFET驱动的效果。

关键词：门极驱动电路, 脉冲变压器, 分立器件, 驱动能力

基金资助：国家重点研发计划项目（2016YFB01006024）