1200V SiC超结VDMOS研究

作者：郭心宇，白云，雷天民

单位：1. 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院，陕西西安 710071；
\r\n2. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心，北京 100029

摘要：在高耐压器件中，保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键，超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真，得到了击穿电压为1680V，比导通电阻为060mΩ·cm2的超结VDMOS器件。

关键词：功率器件, 超结, VDMOS

基金资助：国家重点研发计划项目（2016YFB0100601）