4H-SiC沟槽结势垒二极管研制

来源：电工电能新技术杂志2018年第10期北京时间：

作者：汤益丹， 董升旭， 杨成樾， 郭心宇， 白云

单位：1. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心， 北京 100029;
\r\n2. 中国科学院大学， 北京 100049

摘要：优化设计了1200V 4HSiC沟槽结势垒二极管（TJBS）主结处的沟槽结构，将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒，纵向增加了结势垒面积，从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压，并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计，其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS，结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。

关键词：4H-SiC, 沟槽结势垒二极管, 主结, 耐压特性

基金资助：国家重点研发计划项目（2016YFB0100601）