基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究

来源：电工电能新技术杂志2018年第10期北京时间：

作者：宋瓘， 白云， 顾航， 陈宏， 谭犇， 杜丽霞

单位：1. 兰州交通大学电子与信息工程学院， 甘肃 兰州 730070；
\r\n2. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心， 北京 100029

摘要：提出了一种1200V 4HSiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入，以降低栅氧化层电场，提高器件的可靠性；在积累区引入N型注入，以降低器件的比导通电阻，提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真，对器件各项参数优化，并对器件性能进行简要说明与分析，与传统1200V 4HSiC MOSFET相比，其比导通电阻增加059mΩ·cm2，VDS=1200V时，栅氧化层电场强度下降152MV/cm。

关键词：4H-SiC,MOSFET,CIMOSFET,比导通电阻,栅氧化层电场

基金资助：国家重点研发计划项目（2016YFB0100601）