不同频率激励下变压器铜屏蔽中涡流损耗的研究

来源：电工电能新技术杂志2017年第3期北京时间：

作者：赵志刚， 史文军， 王振， 刘慧敏， 赵捷， 刘福贵

单位：电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室， 河北工业大学， 天津 300130

摘要：为了研究高压输电系统电力变压器铜屏蔽中涡流损耗的分布，基于TEAM Problem 21基准族中的P21c-EM1简化模型进行了详细的实验研究与仿真分析。采用不同的建模方法对多种工况下激励线圈欧姆损耗进行计算并与测量值对比，得出线圈整体建模无法计算漏磁通在导体本身产生的涡流损耗，线圈单匝建模可以很好地反应实际工况。系统地介绍了变压器结构件杂散损耗传统测量方法以及分析了其缺陷，基于传统的测量方法介绍了一种新的测量方法，即采用实验模型总的损耗测量值减去实验模型中激励线圈损耗的精确计算值得出结构件中的损耗。多种激励条件下铜屏蔽中涡流损耗的计算值与测量值具有较好的一致性，从而验证了该方法的有效性。所得的结果、结论有助于电力变压器、平波电抗器等装置屏蔽结构的优化设计。

关键词：变压器, 铜屏蔽, 涡流损耗, 漏磁通

基金资助：国家自然科学基金项目（51107026/51677052/51237005）、 天津市科技计划项目（15JCYBJC16400）