SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

来源：电工电能新技术杂志2016年第4期北京时间：

作者：梁琳, 吴文杰, 刘程, 潘铭

单位：华中科技大学光学与电子信息学院， 湖北 武汉 430074

摘要：本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管 (RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同，采用氟基气体感应耦合等离子体(ICP)刻蚀得到了合适的刻蚀速率、表面粗糙度及形貌，采用多次氮离子注入及高温退火完成选择性掺杂，采用Ni/Ti/Al多层金属配合适当退火温度完成欧姆电极制备，采用机械切割斜角完成台面终端造型，最终得到了合理的器件正反向阻断特性。

关键词：SiC RSD, 脉冲功率开关, 工艺, ICP刻蚀, 离子注入, 台面终端造型