碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法

来源：电工电能新技术杂志2015年第5期北京时间：

作者：钟志远， 秦海鸿， 袁源， 朱梓悦， 谢昊天

单位：江苏省新能源发电与电能变换重点实验室， 南京航空航天大学， 江苏 南京 210016

摘要：与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性的发展要求。然而在桥臂电路中，上下管之间的串扰问题严重限制了碳化硅MOSFET性能优势的发挥。本文在分析了串扰问题产生机理的基础上，采用了一种改进的基于PNP三极管的有源密勒箝位方法，对串扰进行了有效抑制，并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证。实验结果表明，改进的方法能够获得较好的串扰抑制效果，对碳化硅 MOSFET的驱动电路设计具有一定指导意义。

关键词：碳化硅, 桥臂电路, 串扰抑制, 有源密勒箝位